IDF Spring 2006: подробности о DDR3

В рамках весенней сессии Intel Developer Forum компания Samsung продемонстрировала образец памяти нового поколения DDR3-800 в виде одной планки объемом 512 МБ с поддержкой ECC.

Так же Samsung поведала о технических характеристиках нового типа памяти:

• Напряжение — 1.5 В;
• Техпроцесс — 70 нм;
• Преположительно более высокие значение параметра CAS Latency — от 7 до 5;
• Появится возможность мониторинга температуры памяти (скорее всего данная функция будет реализована в BIOS материнской платы в соответствующем разделе);
• Частоты:
• • 800 МГц;
  • 1066 МГц;
  • 1333 МГц;
  • 1666 МГц;

Скорее всего, такой набор технических характеристик будет способствовать высокому частотному потенциалу модулей, энтузиасты могут спать спокойно. Но высокая частота, как вы знаете, не всегда подразумевает высокую производительность, особенно если такой важный параметр как CAS Latency имеет значения в районе от 7 до 5. Думаю, что особого отрыва в производительности DDR3 от ее предшественницы не будет. Зато энергопотребление нового типа памяти уменьшится на 30 % по сравнению с DDR2.

Предполагается, что переход к новому стандарту памяти существенно не изменит разводку материнской платы, структуру чипсета и схему питания, это должно послужить более быстрому и безболезненному переходу на новый стандарт.

По заявлению все той же Samsung новый стандарт памяти появится в 2007 году, и будет поддерживаться существующими на тот момент платформами компании Intel. Ожидается, что к 2009 году новый стандарт памяти будет доминировать на рынке оперативной памяти. Но эти ожидания подкреплены лишь примерными планами развития платформ от Intel , а на сколько вам известно еще существуют альтернативная и конкурентно способная платформа AMD :). Строить догадки и «сотрясать воздух» не наше дело, так что дальнейшее развитие этой заметки вы придумаете сами :).