Samsung переводит производство DDR2 на 80 нм техпроцесс
Новое слово в технологии изготовления модулей памяти DDR2 сказала Samsung. Компания собирается наладить производство DDR2-чипов с учетом 80 нм техпроцесса, пока что модули ОЗУ выпускаются по 90 нм нормам. На фото ниже — 2 GiB 80 нм модули DDR1, изображения 80 нм DDR2 компания пока не показывает.
Переход на более совершенную технологию позволит повысить эффективность работы заводов на 50 %, считает руководство Samsung. Серьезно переоборудовать конвейеры не придется, инженеры разработали подход «half-node», который позволит сохранить существующую инфраструктуру. Тот же метод «half-node» собирается применять и тайваньская фабрика TSMC, выпускающая графические чипы для NVIDIA и ATI. Новые 80 нм 512 Мегабитные DDR2 чипы будут включать трехмерный транзисторный дизайн, RCAT (recess channel array transistor).
