МАТЕРИАЛ В РАЗРАБОТКЕ...
Q: Как её (оперативную память) разогнать?
A: Оперативную память разгоняют увеличенем частоты и уменьшением таймингов, улучшение одного параметра даётся ценой ухудшения другого. Приходится искать такое сочетание частоты и таймингов при которых наибольшая производительнось. Чтобы увеличить частоту нужно увеличить в BIOS'е частоту FSB и/или изменить делитель FSB:memory . Например у вас стоит FSB - 200 Мгц и делитель значит частота ОЗУ - 166 Мгц чтобы сделать частоту ОЗУ 200 Мгц нужно поставить делитель 1:1, а например если у вас стоит FSB - 166 Мгц и делитель 1:1 значит частота ОЗУ - 166, можно поставить FSB - 200 Мгц тогда частота ОЗУ будет 200 Мгц. Е,ли выставить делитель 1:1, то у FSB и память будут работать на одной частоте то есть будут синхронны, Для связки AMD - Nforce лучше синхронная работа, а для Intel лучше следующие сочетания: 100:133, 133:166 и 200:200

Q: Я поставил 400 МГц, а CPU-Z показывает "Memory frequency" 200 МГц. Почему?
A: Потому что 400 - это эффективная частота, а не реальная, на самом деле память работает на частоте 200 Мгц.

Q: Чем отличается эффективная частота от реальной?
A: Дело в том что в памяти DDR данные передаются по обоим фронтам синхросигнала, что позволяет при той же частоте тактирования передавать в два раза больше данных по сравнению с SDR SDRAM, поэтому эффективная частота в 2 раза больше реальной.

Q: Что такое "PC2100"? На частоту не похоже... Она быстрее DDR400?
A: Существует два типа обозначений для одной и той же памяти: одно - по "эффективной" частоте (DDRxxx), а второе - по теоретической пропускной способности (PCxxxx). Соответствия представлены в таблице:


Q: Что такое тайминги?
A: Тайминги – это задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.

CAS# Latency (краткое обозначение - CL).
Первый и самый важный параметр. Обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. От этого параметра больше всего зависит производительность памяти, т.к. только он задерживает доступ к данным. Возможные значения - 2, 2.5, 3.
На любом рисунке, характеризующем работу памяти вы можете видеть эту задержку. Рассмотрим ее на примере прерывания операции чтения:

Здесь C0, C1, C2, ... - такты, по которым работает память, а BST - команда Burst Terminate, прерывающая процесс чтения. Здесь видно, что чем больше задержка CL, тем позже данные (Q1-Q3) поступают в память.

RAS# to CAS# Delay (Trcd)
Число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель. (п.2 алгоритма) Другими словами, это временной интервал между командами RAS и CAS, поскольку архитектура SDRAM не позволяет подавать их одновременно.

RAS# Precharge (TRP)
Время, необходимое на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка (п.6)

Row Active Time (TRAS)
Время, в течение которого банк остается открытым и не требует перезарядки. Изменяется вместе со следующим параметром.

Bank Cycle Time (TRC, TRAS/TRC)
Время полного такта доступа к банку, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с TRAS.
Параметр TRC высчитывается по формуле TRC = TRAS (Row Active Time) + TRP (RAS# Precharge).

Это основные тайминги, которые позволяет выставить большинство материнских плат. Однако поясню и другие.

DRAM Idle Timer
Время простаивания открытой страницы для чтения из нее данных.

Row to Column (Read/Write) (Trcd, TrcdWr, TrcdRd)
Данный параметр связан с параметром RAS-to-CAS (Trcd) и является как бы его уточнением, поскольку вычисляется по формуле Trcd(Wr/Rd) = RAS-to-CAS delay + rd/wr command delay. Второе слагаемое определяет задержку на выполнение записи/чтения. Но эта величина нерегулируемая, и изменить её нельзя. Поэтому её часто именуют просто RAS-to-CAS Delay.

Перечисленные параметры могут показаться нагромождением букв и цифр, но я уверяю, если вы заглянете хотя бы в один даташит (ближе к его концу), то быстро во всем разберетесь.

Q: Что лучше – высокая частота или маленькие тайминги?
A: Однозначного ответа нет , всегда приходится искать золотую середину при которой наивысшая производительность.

Q: Я уменьшил тайминги и увеличил частоту но дальше память не разгоняется , что можно сделать?
A: Увеличить напряжение.

Q: Что такое SPD?
A: SPD (Serial Presence Detect) – маленькая микросхема на модуле памяти, в которую записаны все параметры, необходимые для работы модуля (частота, тайминги...). В последнее время в SPD стали добавлять информацию о производителе, дате производства и тому подобную. Более полная информация об SPD – http://ixbt.com/mainboard/spd.shtml

Q: Насколько объём памяти влияет на разгон?
A: На разгон больше влияет не общий объём, а количество модулей памяти, количество чипов на них и количество банков. При определённых значениях данных величин контроллер перегружается и начинает работать медленнее или с ошибками. Для решения проблемы ненадёжности контроллера при больших объёмах памяти применяется так называемая Registered (буферезированная , а не регистровая , память , она применяется в основном в серверах) память.

Q: Что такое двухканальная память?
A: Двухканальной памяти не бывает , бывают двухканальные контролеры памяти на материнской плате или на кристале (AMD K8 939,940). Наличие двух каналов памяти на материнской плате позволяет обращаться одновременно к двум модулям. Для реализации этого режима нужно два или четыре модуля памяти, желательно – идентичных.

Q: Что такое ECC?
A: Memory with ECC – память с коррекцией ошибок , позволяет найти и исправить ошибку одного бита в байте (или найти две и исправить одну – в зависимости от алоритма). Применяется там, где важна целостность данных – в серверах и маршрутизаторах. СтОит дорого, работает относительно медленно; для оверклокера – малопривлекательна.

Q: Я разогнал свою память, но мне этого мало, хочу ещё, а материнскя плата больше не даёт увеличить напряжение.
A: В таком случае можно сделать вольтмод , но помните вольтмод вы делаете на свой страх и риск так как оперативная память может сгореть У большинства оверклокеров разогнанная память живёт в диапазоне 2.8-3.0 В. У вольтмоддеров-экстремалов – может и за 3.2 В зашкаливать. Думаю, что выражу мнение большинства оверклокеров, если скажу, что 2.9 В - та самая опасная граница. Главное - контролировать тепловыдиление чтобы оно не зашкаливало(можно даже пальцем(мой любимый метод ).

Q: Что такое регистровая (Registered) память?
A: В данном контексте слово Registered правильнее переводится не регистровая а буферизированная память. Буферизированная память - это память с повышенной отказоустойчивостью за счет добавления буферов между контроллером памяти и чипами. Буферы уменьшают нагрузку на систему синхронизации , так как контроллер управляет не чипами , а буферами которых намного меньше чем чипов , за счет этого память может быть очень большого обьема (например – 16-24 ГБ). Данная память имеет два больших недостатка 1 Из-за буферов задержка в один такт на каждую операцию , поэтому она медленнее обычной 2 Стоит очень дорого
______
FAQ в разработке и со временем будет добалятьсяисправляться, хочешть дополнить? пиши в Л.С. мне
Автор - HAZARDOUS
дополнил - ZnipeR